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  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD020H065CX1S3 (650V/20A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD020H065CX1S3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶26 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD020H065CX1H3 (650V/20A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD020H065CX1H3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶47 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD020H065CX1L3 (650V/20A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD020H065CX1L3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶67 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD015H060CX1S3 (600V/15A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD015H065CX1S3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，易并联使用的特点。

    넶49 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD015H060CX1H3 (600V/15A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD015H065CX1H3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶47 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD015H065CX1L3 (600V/15A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD015H065CX1L3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶41 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD006H060CX1H3 (600V/6A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD006H060CX1H3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶60 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD006H060CX1R3 (600V/6A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD006H060CX1R3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，易并联使用的特点。

    넶56 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD006H060CX1G3 (600V/6A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD006H060CX1G3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC SBD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，
    易并联使用的特点。

    넶88 2023-04-25

  • XDM芯达茂 IGBT单管 - XD075C065CX1S3 (650V/75A)

    XDM芯达茂 IGBT 单管 XD075C065CX1S3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC SBD管进行合封，具有优异的导通和开关特性，易并联使用的特点。

    넶42 2023-04-25
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