芯达茂

XDM

厦门芯达茂微电子有限公司 是专业的半导体芯片及方案设计公司，致力于第三代半导体的研发、设计和应用。

芯达茂拥有国际一流的第三代半导体研发团队，现已提出36项专利。产品包括IGBT晶圆、IGBT单管、IGBT PIM模块、IGBT IPM模块、SiC MOSFET、SiC SBD、SJ MOSFET、SGT MOSFET等，主要应用于家电、新能源等领域，为电机控制、逆变器、UPS、新能源汽车、光伏、工业电源企业提供新一代半导体产品的国产替代及技术支持。

芯达茂致力于技术创新，持续研发投入，未来将推出更多品类的芯片，不断丰富产品组合，为客户提供更多选择。厦门芯达茂微电子有限公司坚持以客户为中心的理念，希望能进一步跟国内的系统应用公司深度配合，一起打破国外垄断，形成属于国内系统厂商真正的战斗力！

XDM芯达茂 SiC MOSFET 选型指南

产品型号	VDS(V)	ID(A)	RDS(ON) Typ（mΩ）	Package	规格书
XD320B065AG1Z8	650		320	DFN8*8
XD500B065AG1G3	650		500	TO-252
XD1K4B065AG1G3	650		1400	TO-252
XD030B065BV1S3	650	55	30	TO-247-3
XD030B065BV1S5	650	55	30	TO-247-4
XD060B065BV1S3	650	29	60	TO-247-3
XD060B065BV1S5	650	29	60	TO-247-4
XD016B120BV1S3	1200	115	16	TO-247-3
XD016B120BV1S5	1200	115	16	TO-247-4
XD025B120BV1S3	1200	65	25	TO-247-3
XD025B120BV1S5	1200	65	25	TO-247-4
XD040B120BV1S3	1200	60	40	TO-247-3
XD040B120BV1S5	1200	60	40	TO-247-4
XD080B120BV1S3	1200	36	80	TO-247-3
XD080B120BV1S5	1200	36	80	TO-247-4
XD080B120AG1S3	1200		80	TO-247-3
XD080B120AG1S5	1200		80	TO-247-4
XD160B120BV1G3	1200	18	160	TO-252-2
XD160B120BV1S3	1200	18	160	TO-247-3
XD650B170AV1S3	1700	7	650	TO-247-3
XD1K0B170AV1S3	1700	5	1000	TO-247-3

SiC MOSFET  碳化硅场效应管        

在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。

XDM芯达茂 SiC MOSFET 碳化硅场效应管