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龙 夏

Long-Tek

福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司,拥有国内领先的功率器件芯片研发流片能力,建有净化车间包含晶圆CP测试、划片、可靠性测试。2018年研发团队被评为福建“百人计划”,2019年公司获得国家高新企业称号,2022年入选龙岩市上市公司后备企业。在无锡太湖湾集成电路园区设有研发中心,并与JN半导体所在许多航天航空产品展开技术合作。

产品包含中低压MOSFET和SBD的晶圆和成品,核心竞争力是BMS大电流SGT MOS 和 光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD(TMBS)。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压VDMOS、IGBT和SICMOS、SIC JBS二极管。

中低压 SGT MOS
TMBS 沟槽肖特基
中低压 Trench MOSFET

 

 

Trench MOSFET  (沟槽型场效应管)   

 
Part Number Polarity Package VDS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)
@VGS=10V
Typ(mΩ)
RDS(ON)
@VGS=10V
Max(mΩ)
VGS(th)
Min(V)
VGS(th)
Max(V)
Qg
Typ(nC)
Ciss
Typ(pF)
Coss
Typ(pF)
Cress Tj
Max(℃)
Ptot
(W)
详情 Data
Sheet
LM60N02T4 N TO-252 20 60 4 4.8 0.5 1.1 30 2103 450 212 -55~150 60  
LM150N03T4 N TO-252 20 150 3.2 3.8 1 2.5 70 3400 356 308 -55~175 110  
LM80N03T4 N TO-252 30 84 4.9 5.9 1 3 30 2203 362 277 -55~175 115  
LR015N04T10 N TOLL 40 200 1 1.5 2 4 120 11483 1706 1015 -55~150 200  
LR020N04T10 N TOLL 40 160 1.7 2                  
LR012N04T10 N TOLL 40 320 1 1.2                  
LR025N04T3 N TO-220 40 120 2 2.5                  
LR022N04T8 N DFN56 40 130 1.8 2.2                  
LR023N04T2 N TO-263 40 120 1.8 2.3                  
LR015N04T0 N TO-263-7 40 280 1.25 1.5                  
LR020N04T0 N TO-263-7 40 210 1.7 2                  

Long-Tek龙夏 TRENCH MOSFET 选型指南

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