芯达茂

XDM

厦门芯达茂微电子有限公司 是专业的半导体芯片及方案设计公司，致力于第三代半导体的研发、设计和应用。

芯达茂拥有国际一流的第三代半导体研发团队，现已提出36项专利。产品包括IGBT晶圆、IGBT单管、IGBT PIM模块、IGBT IPM模块、SiC MOSFET、SiC SBD、SJ MOSFET、SGT MOSFET等，主要应用于家电、新能源等领域，为电机控制、逆变器、UPS、新能源汽车、光伏、工业电源企业提供新一代半导体产品的国产替代及技术支持。

芯达茂致力于技术创新，持续研发投入，未来将推出更多品类的芯片，不断丰富产品组合，为客户提供更多选择。厦门芯达茂微电子有限公司坚持以客户为中心的理念，希望能进一步跟国内的系统应用公司深度配合，一起打破国外垄断，形成属于国内系统厂商真正的战斗力！

XDM芯达茂 SGT MOSFET 选型指南

SGT MOSFET  SGT MOS管        

SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET，SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容，器件的开关速度得以加快，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。

特点:                                                                        应用领域：

低FOM(RDs(σN)×Qg)                                              DC/DC转换

极低的单位面积导通电阻                                           高频开关和同步整流

XDM芯达茂 SGT MOSFET 场效应管