龙 夏

Long-Tek

福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司，拥有国内领先的功率器件芯片研发流片能力，建有净化车间包含晶圆CP测试、划片、可靠性测试。2018年研发团队被评为福建“百人计划”，2019年公司获得国家高新企业称号，2022年入选龙岩市上市公司后备企业。在无锡太湖湾集成电路园区设有研发中心，并与JN半导体所在许多航天航空产品展开技术合作。

产品包含中低压MOSFET和SBD的晶圆和成品，核心竞争力是BMS大电流SGT MOS 和 光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压VDMOS、IGBT和SICMOS、SIC JBS二极管。

TMBSF  （沟槽肖特基二极管）   

Part Number	General Design	VRRM Max(V)	Package	IF(A)	VF Typ((V)	VF Max(V)	IR Max(uA)	trr Max(ns)	IFSM Min(A)	Tj Max(℃)	Data Sheet
LD20N45SHS2	Trench SBD	45	TO-263	20	0.52	-	100	30	-55～150	200
LD25N45SJS2	Trench SBD	45	TO-263	25	0.52	-	100	30	-55～150	150
LD30N45SKS2	Trench SBD	45	TO-263	30	0.51	-	100	30	-55～150	200
LD40N45I2	Trench SBD	45	TO-263	40	0.55	-	100	30	-55～150	200
LD40N45SKD2	Trench SBD	45	TO-263	40	0.547	-	100	30	-55～150	200
LD20N45SHS6	Trench SBD	45	R6	20	0.51	-	100	30	-55～150	150
LD25N45SJS6	Trench SBD	45	R6	25	0.52	-	100	30	-55～150	150
LD30N45SKS6	Trench SBD	45	R6	30	0.51	-	100	30	-55～150	150
LD40N45SLS6	Trench SBD	45	R6	40	0.49	-	100	30	-55～150	200
LD30N45SKS9	Trench SBD	45	JK-09E	30	0.51	-	100	30	-55～150	200
LD30N45SLS9	Trench SBD	45	JK-09E	30	0.495	-	100	30	-55～150	150
LD40N45SMS9	Trench SBD	45	JK-09E	40	0.539	-	100	30	-55～150	150
LD50N45SKD9	Trench SBD	45	JK-09E	50	0.465	-	100	30	-55～150	150
LD50N45SLD9	Trench SBD	45	JK-09E	50	0.455	-	100	30	-55～150	150
LD50N45SOS9	Trench SBD	45	JA-MK	50	0.487	-	100	30	-55～150	150
LD30N45SKS3	Trench SBD	45	TO-220AB	30	0.54	-	100	30	-55～150	150
LD40N45I3	Trench SBD	45	TO-220AB	20*2	0.52	-	100	30	-55～150	200
LD10N100T2	Trench SBD	100	TO-263	10	0.65	-	100	30	-55～150	200
LD10N100T3	Trench SBD	100	TO-220F	10	0.66	-	50	30	-55～150	150
TSR40L100CTF	Trench SBD	100	TO-220F	20*2	0.65	-	100	30	-55～150	150
LD30N100T3	Trench SBD	100	TO-220F	15*2	0.78	-	100	30	-55～150	150
LD20N100T3-1	Trench SBD	100	TO-220AB	10*2	0.65	-	100	30	-55～150	150
LD20N100T3-2	Trench SBD	100	TO-220AB	10*2	0.61	-	100	30	-55～150	150

Long-Tek 龙夏 TMBS 选型指南

Long-Tek 龙夏 TMBS（Trench MOS Barrier Schottky Diode 沟槽MOS型肖特基势垒二极管）成品命名规格：