龙 夏

Long-Tek

福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司，拥有国内领先的功率器件芯片研发流片能力，建有净化车间包含晶圆CP测试、划片、可靠性测试。2018年研发团队被评为福建“百人计划”，2019年公司获得国家高新企业称号，2022年入选龙岩市上市公司后备企业。在无锡太湖湾集成电路园区设有研发中心，并与JN半导体所在许多航天航空产品展开技术合作。

产品包含中低压MOSFET和SBD的晶圆和成品，核心竞争力是BMS大电流SGT MOS 和 光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压VDMOS、IGBT和SICMOS、SIC JBS二极管。

40V SGT MOSFET

Part Number	Polarity	Package	VDS (V)	ID (A) @TC=25°C	Vth Typ (V)	Ron(mΩ)  typ @ 10V	Ron(mΩ) Max @ 10V	Ron(mΩ) typ @ 2.5V	EAS （mj）	详情	Data Sheet
LR012N04S10	N	TOLL	40	250	1.6	0.9	1.2		1122

 

 

 

80V SGT MOSFET

 

Part Number	Polarity	Package	VDS (V)	ID (A)	Ron(mΩ)  typ @ 10V	VTH	EAS （L=0.5mH VD=48V  VG=10V）	Rg	Ciss	Coss	Crss		Data Sheet
LR016N08S10	N	TOLL	80	360	1.27	3	2704	1.8	14140	2259	61
LR020N08S10	N	TOLL	80	240	1.4	3	2862	1.8	14140	2259	61
LR032N08S10	N	TOLL	80	200	2.3	3	1406	1.7	7835	1198	46
LR038N08SA10	N	TOLL	80	160	2.8	3	1122	1.7	6575	1020	48
LR046N08SA10	N	TOLL	80	120	3.6	3	841	1.7	5154	783	49
LR022N08S3	N	TO-220	80	160	1.6	3	2304	1.8	14140	2259	61
LR035N08S3	N	TO-220	80	160	2.5	3	1260	1.7	7835	1198	46
LR041N08SA3	N	TO-220	80	120	3.1	3	1024	1.3	6281	110	58
LR049N08SA3	N	TO-220	80	120	3.9	3	812	1.7	5154	783	49
LM120N08SA3	N	TO-220	80	120	4.7	3	650	1.7	4178	632	23
LR060N08S3	N	TO-220	80	120	5.1	3	576	1.3	3633	580	28
LR065N08S3	N	TO-220	80	80	5.3	3	576	1.3	3633	580	28
LR020N08S2	N	TO-263	80	160	1.5	3	2304	1.8	14140	2259	61
LR032N08S2	N	TO-263	80	160	2.3	3	1260	1.7	7835	1198	46
LR034N08S2	N	TO-263	80	160	2.9	3	1122	1.3	6281	110	58
LR038N08S2	N	TO-263	80	120	3	3	1024	1.3	6281	110	58
LR046N08SA2	N	TO-263	80	120	3.7	3	812	1.7	5154	783	49
LM120N08S2	N	TO-263	80	120	4.5	3	650	1.7	4178	632	23
LR063N08S2	N	TO-263	80	80	5.1	3	576	1.3	3633	580	28
LR020N08S0	N	TO-263-7	80	200	1.3	3	2500	1.8	14140	2259	61
LR032N08S0	N	TO-263-7	80	200	2.3	3	1122	1.7	7835	1198	46
LR022N08S1	N	TO-247	80	270	1.5	3	2500	1.8	14140	2259	61
LR032N08S1	N	TO-247	80	200	2.45	3	1406	1.7	7835	1198	46
LR038N08S1	N	TO-247	80	160	3.1	3	1056	1.7	6575	1020	48
LR049N08SA4	N	TO-252	80	120	3.6	3	1089	1.7	5154	783	49
LM80N08S4	N	TO-252	80	80	4.8	3	576	1.7	4178	632	23
LR067N08S4	N	TO-252	80	80	5	3	484	2.9	3633	580	28
LM100N08S8	N	DFN56	80	100	3.8	3	812	1.5	5154	783	49
LR046N08S8	N	DFN56	80	100	3.8	3	812	1.5	5154	783	49
LR040N08S8	N	DFN56	80	100	3.7	3	812	1.5	5154	783	49
LR90N08S8	N	DFN56	80	90	4.8	3	625	1.7	4178	632	23
LR067N08S8	N	DFN56	80	80	5.3	3	484	1.3	3683	598	33
LR062N08SL8	N	DFN56	80	80	4.5	1.5	529	3.2	3689	590	22

 

 

 

95V SGT MOSFET

 

Part Number	Polarity	Package	BVDSS	ID（A）	Ron(mΩ)  typ @ 10V	VTH	EAS （L=0.5mH VD=48V  VG=10V）	Rg	Ciss	Coss	Crss	详情	Data Sheet
LR016N95S10	N	TOLL	95	340	1.37	3	2652	0.9	14428	2013	61
LR053N95S3	N	TO-220	95	120	4.3	3	702	2.3	5200	4304	1252
120N95S3	N	TO-220	95	120	5.1	3	552
LR055N09S3	N	TO-220	90	120	4.1	3	650	0.6	3397	785	16
LR055N95S3	N	TO-220	95	120	3.9	3	529	0.5	3633	1243	651
LR072N09S3	N	TO-220	95	80	6	3	441	2.7	3017	556	13.4
LR051N95S2	N	TO-263	95	120	4.2	3	702	2.3	5200	4304	1252
LR052N09S2	N	TO-263	90	120	3.9	3	650	0.6	3397	785	16
LR052N95S2	N	TO-263	95	120	3.8	3	529	0.5	3633	1243	651
120N95S2	N	TO-263	95	120	4.9	3	552
LR069N09S2	N	TO-263	95	80	5.8	3	441
80N95S4	N	TO-252	95	80	5.9	3	484
LR074N09S4	N	TO-252	95	80	6.2	3	506	2.7	3100	533	12.6
LR052N95S8	N	DFN56	95	80	4.1	3	676	2.3	5200	4304	1252
LR072N09S8	N	DFN56	95	80	5.8	3	506	2	3143	595	79

 

 

 

 

100V SGT MOSFET

 

Part Number	Polarity	Package	BVDSS	ID（A）	Ron(mΩ)  typ @ 10V	VTH	EAS （L=0.5mH VD=48V  VG=10V）	Rg	Ciss	Coss	Crss	详情	Data Sheet
LR022N10S10	N	TOLL	100	320	1.6	3	1681	1.6	14510	1265	189
LR018N10S10	N	TOLL	100	320	1.55	3	2601	1.6	15016	1265	189
LR037N10S10	N	TOLL	100	200	2.9	3	1156	1.4	7278	704	33
LR032N10S10	N	TOLL	100	200	2.7	3	1056.25	0.33	5740	944	86
LR030N10S3	N	TO-220	100	160	2.1	3	2070	1.6	14510	1265	189
LR040N10S3	N	TO-220	100	160	3	3	1190	0.5	5657	1261	1738
LR045N10S3	N	TO-220	100	160	3.2	3	1056	1.6	7278	704	33
LR055N10S3	N	TO-220	100	130	4.8	3	650	3	5225	552	25
LR075N10S3	N	TO-220	100	120	6.5	3	462.25	2.6	3647.56	388	19.7
LR027N10S2	N	TO-263	100	160	2	3	2070	1.6	14510	1265	189
LR038N10S2	N	TO-263	100	160	2.9	3	1190	0.5	5657	1261	1738
LR042N10S2	N	TO-263	100	160	3.1	3	1056	1.6	7278	704	33
LR052N10S2	N	TO-263	100	130	4.7	3	650	3	5225	552	25
LR072N10S2	N	TO-263	100	120	6.4	3	462.25	2.6	3647.56	388	19.7
LR022N10S0	N	TO-263-7	100	200	1.6	3	1892		14510	1265	189
LR037N10S0	N	TO-263-7	100	200	3.1	3	992	1.6	7300	2700	309
LR022N10S1	N	TO-247	100	272	1.8	3	2601	1.6	15016	1265	189
LR037N10S1	N	TO-247	100	160	2.8	3	1190	0.5	5657	1261	1738
LR045N10S1	N	TO-247	100	200	3	3	900	1.6	7300	2700	309
LR078N10S4	N	TO-252	100	80	6.7	3	462.25	2.6	3647.56	388	19.7
LR072N10SL4	N	TO-252	100	80	6.1	2.3	462.25	2.5	4238.36	389.1	16.8

 

 

Long-Tek龙夏 SGT MOSFET 选型指南

Long-Tek 龙夏 SGT MOSFET（Shield Gate Trench 屏蔽栅沟槽）成品命名规格：