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芯达茂
XDM
厦门芯达茂微电子有限公司 是专业的半导体芯片及方案设计公司，致力于第三代半导体的研发、设计和应用。
芯达茂拥有国际一流的第三代半导体研发团队，现已提出36项专利。产品包括IGBT晶圆、IGBT单管、IGBT PIM模块、IGBT IPM模块、SiC MOSFET、SiC SBD、SJ MOSFET、SGT MOSFET等，主要应用于家电、新能源等领域，为电机控制、逆变器、UPS、新能源汽车、光伏、工业电源企业提供新一代半导体产品的国产替代及技术支持。
芯达茂致力于技术创新，持续研发投入，未来将推出更多品类的芯片，不断丰富产品组合，为客户提供更多选择。厦门芯达茂微电子有限公司坚持以客户为中心的理念，希望能进一步跟国内的系统应用公司深度配合，一起打破国外垄断，形成属于国内系统厂商真正的战斗力！
XDM芯达茂 SJ MOS 选型指南
| 产品型号 | VDS(V) | ID(A) | RDS(ON)Max（mΩ） | Package | 规格书 |
| XD160J060BK1H3 | 600 | 140 | TO-220F-3 | ||
| XD160J060BK1H3 | 600 | 160 | TO-220F-3 | ||
| XD190J060BK1H3 | 600 | 20 | 190 | TO-220F-3 | |
| XD250J060BK1H3 | 600 | 250 | TO-220F-3 | ||
| XD300J060BK1H3 | 600 | 300 | TO-220F-3 | ||
| XD480J060BK1H3 | 600 | 480 | TO-220F-3 | ||
| XD290J065BK1H3 | 650 | 260 | TO-220F-3 | ||
| XD330J065BK1H3 | 650 | 330 | TO-220F-3 | ||
| XD380J065BK1H3 | 650 | 11 | 380 | TO-220F-3 | |
| XD550J065BK1H3 | 650 | 550 | TO-220F-3 | ||
| XD600J065BK1H3 | 650 | 7 | 600 | TO-220F-3 | |
| XD600J065BX1G3 | 650 | 600 | TO-252 |
SJ MOSFET 超结场效应管
SJ（Super-Junction超级结）MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在高压应用时优势尤其突出。对于常规VDMOS器件结构，RDs(ON)与BV是矛盾的,要想提高BV,减小EPI掺杂浓度，导通电阻必然变大；而超级结是在提高N EPI掺杂浓度的同时，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到高的隔离电压，从而使其RDs(oN/BV打破原有VDMOS的极限。
SJ MOS特点：
• 低导通电阻
• 高开关速度
• 高可靠性
• 低开关损耗
XDM芯达茂 SJ MOSFET 超结场效应管
