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  • Natlinear南麟 - LN8343 40V 三相全桥栅极驱动器

    南麟LN8343是一款三相栅极驱动电路,具有三路独立的高低边输出,可以用来驱动全桥电路中的大功率MOSFET或IGBT。LN8343的输入信号兼容CMOS和LSTTL电平,最低可到3.3V,最高可到15V。LN8343内置了直通防止和死区时间,能够避免被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通,有效保护功率器件。LN8343内置了5V/50mA LDO,可为MCU供电。内置LDO具有短路和过流保护功能。LN8343内置了过温保护功能。

    186 2023-02-10
  • Natlinear南麟 - LN8322 30V 单相半桥栅极驱动IC

    南麟LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
    LN8322内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断DRVH、DRVL的输出。
    LN8322内建死区自适应功能,可以适应更多规格MOSFET,同时简化设计的繁琐。

    103 2023-01-04
  • Natlinear南麟 - LN8362 60V 半桥栅极驱动IC

    南麟LN8362是一款可驱动高端和低端N 沟道MOSFET 栅极驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
    LN8362内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断DRVH、DRVL 的输出。
    LN8362 内建死区自适应功能,可以适应更多规格MOSFET,同时简化设计的繁琐。
    LN8362采用SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式,给方案设计带来更多的选择。

    90 2023-01-04
  • Natlinear南麟 - LN8363 30V 半桥IPM

    南麟LN8363 是一款内置高边和低边MOSFET 的驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
    LN8363内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断高边和低边内置MOSFET。
    LN8363内建死区自适应功能,可以适应更多应用条件,同时简化设计的繁琐。

    179 2023-01-04
  • Natlinear南麟 - LN8331 20V 低侧栅极驱动IC

    Natlinear南麟LN8331是一款低侧栅极驱动芯片,可用于各种电源拓扑中。
    LN8331内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。
    LN8331输出驱动由输入信号控制。

    103 2023-01-03
  • Natlinear南麟 - LN8323 30V 半桥IPM

    Natlinear南麟LN8323是一款内置高边和低边N沟道MOSFET的驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8323内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断高边和低边N沟道MOSFET。LN8323内建死区自适应功能,可以适应更多应用条件,同时简化设计的繁琐。

    96 2023-01-03
  • Natlinear南麟 - LN4308 250V 三相全桥栅极驱动器

    南麟LN4308 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器,具有三路独立的高低边输出,可以用来驱动全桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。
    LN4308 的输入信号兼容 CMOS 和 LSTTL 电平,最低可到 3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动,让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配,简化了在高频场合中的应用。
    LN4308 内置了直通防止和死区时间,能够避免被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通,有效保护功率器件。LN4308 还内置了 VCC 和 VBS 欠压保护电路,防止功率管在过低电压下工作。

    112 2022-12-18
  • Natlinear南麟 - LN4236 600V 三相全桥栅极驱动器

    南麟LN4236 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压三相栅极驱动器,具有三路独立的高低边输出,可以用来驱动全桥电路中的高压大功率 MOSFET或 IGBT。
    LN4236 的输入信号兼容 CMOS 和 LSTTL 电平,最低可到 3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动,让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配,简化了在高频场合中的应用。
    LN4236 内置了直通防止和死区时间,能够避免被驱动的高低侧 MOSFET 或 IGBT 直通,有效保护功率器件。 LN4308 还内置了 VCC 和 VBS 欠压保护电路,防止功率管在过低电压下工作。

    177 2022-12-18
  • Natlinear南麟 - LN4201 600V 半桥栅极驱动器

    LN4201是一款基于悬浮衬底和P_EPI工艺的600V高压高低边驱动器,具有高低边两路输出,可以单独驱动两个高压大功率MOSFET或IGBT。
    LN4201的输入信号兼容CMOS和LSTTL电平,最低可到3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动,让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配,简化了在高频场合中的应用。

    141 2022-12-08
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