Natlinear南麟 - LN8362 60V 半桥栅极驱动IC

南麟LN8362是一款可驱动高端和低端N 沟道MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8362内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL 的输出。
LN8362 内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。
LN8362采用SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。

产品特点：
电源 VCC 工作范围：4V~15V
SW 最高电压：60V
内置自举二极管
固定死区时间
兼容 3.3V/5V/15V 输入信号
UVLO 时EN 端输出低电平
内建死区自适应功能来防止 FET 交叉导通
EN 端可同时关断上下两个MOSFET
VCC，BST 欠压保护功能
绿色环保无卤，满足 ROHS 标准

应用领域：
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电子烟、无线充 MOSFET 驱动器

封装：
SOP8/ESOP8
DFN2*2-8
DFN3*3-8

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典型应用电路：